Detèktè presyon semi-conducteurs ka divize an de kategori, youn baze sou prensip I-υ karakteristik semi-conducteurs PN junction (oswa schottky junction) chanje anba estrès. Pèfòmans eleman sansib presyon sa a trè enstab epi li pa te devlope anpil. Lòt la se Capteur ki baze sou efè piezoresistive semi-conducteurs, ki se varyete prensipal la nan Capteur presyon semi-conducteurs. Nan jou yo byen bonè, mezi semi-conducteurs yo te sitou tache ak eleman elastik pou fè divès kalite enstriman mezi estrès ak souch. Nan ane 1960 yo, ak devlopman teknoloji sikwi entegre semi-conducteurs, yon Capteur presyon semi-conducteurs ak rezistans difizyon kòm eleman piezoresistive parèt. Sa a kalite Capteur presyon gen estrikti senp ak serye, pa gen okenn pati k ap deplase relatif, ak eleman nan presyon sansib ak eleman elastik nan Capteur a yo entegre, ki evite lag mekanik ak ranpe ak amelyore pèfòmans nan Capteur a.

Efè piezoresistif semiconductor Semiconductor gen yon karakteristik ki gen rapò ak fòs ekstèn, se sa ki, rezistivite a (reprezante pa senbòl ρ) chanje ak estrès li pote, ki rele efè piezoresistive. Chanjman relatif nan rezistivite anba aksyon estrès inite yo rele koyefisyan piezoresistif, ki eksprime pa senbòl π. Eksprime matematikman kòm ρ/ρ = π σ.

Kote σ reprezante estrès. Chanjman nan valè rezistans (R/R) ki te koze pa rezistans semi-conducteurs anba estrès se sitou detèmine pa chanjman nan rezistans, kidonk ekspresyon efè piezoresistive ka ekri tou kòm R/R = πσ.

Anba aksyon fòs ekstèn, sèten estrès (σ) ak souch (ε) yo pwodwi nan kristal semi-conducteurs, epi relasyon ki genyen ant yo detèmine pa modil Young (Y) nan materyèl la, se sa ki, Y = σ/ε.

Si efè a piezoresistive eksprime pa souch la sou semi-kondiktè a, li se R / R = Gε.

G yo rele faktè sansiblite nan Capteur presyon, ki reprezante chanjman relatif nan valè rezistans anba souch inite.

Koyefisyan piezoresistif oswa faktè sansiblite se paramèt fizik debaz nan efè piezoresistive semiconductor. Relasyon ki genyen ant yo, menm jan ak relasyon ant estrès ak souch, detèmine pa modil Young nan materyèl la, se sa ki, g = π y.

Akòz anisotropi kristal semi-conducteurs nan elastisite, modil Young ak koyefisyan piezoresistive chanje ak oryantasyon kristal. Magnitid efè piezoresistive semiconductor tou se pre relasyon ak rezistivite semiconductor. Pi ba a rezistans, se pi piti faktè sansiblite a. Se efè a piezoresistive nan rezistans difizyon detèmine pa oryantasyon an kristal ak konsantrasyon enpurte nan rezistans difizyon. Konsantrasyon enpurte a sitou refere a konsantrasyon enpurte sifas kouch difizyon an.